창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH4N150 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH4N150 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1576pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 280W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH4N150 | |
| 관련 링크 | IXTH4, IXTH4N150 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MLO36-16io1 | MLO36-16io1 IXYS SMD or Through Hole | MLO36-16io1.pdf | |
![]() | SD1004-100MEA | SD1004-100MEA NULL SMD or Through Hole | SD1004-100MEA.pdf | |
![]() | JT-7033-18 | JT-7033-18 PTC SOP | JT-7033-18.pdf | |
![]() | A1812 | A1812 ROHM TO-89 | A1812.pdf | |
![]() | DMX-RN26S-50E-TB1 | DMX-RN26S-50E-TB1 JST SMD or Through Hole | DMX-RN26S-50E-TB1.pdf | |
![]() | MA-406 26.8MHZ | MA-406 26.8MHZ EPSON SMD-DIP | MA-406 26.8MHZ.pdf | |
![]() | MAX9260EVKIT+ | MAX9260EVKIT+ MaximIntegratedProducts SMD or Through Hole | MAX9260EVKIT+.pdf | |
![]() | D87C51BF | D87C51BF INTEL CDIP | D87C51BF.pdf | |
![]() | TPS73650DCQR | TPS73650DCQR TI SOT233-6 | TPS73650DCQR.pdf | |
![]() | XC3S25E-5FTG256C | XC3S25E-5FTG256C XILINX BGA | XC3S25E-5FTG256C.pdf | |
![]() | HEF4520 | HEF4520 PHILIPS DIP-16 | HEF4520.pdf |