창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH44P15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P,Q)44P15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 175nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 298W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH44P15T | |
| 관련 링크 | IXTH44, IXTH44P15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | QTCCNW183 | QTCCNW183 ORIGINAL c | QTCCNW183.pdf | |
![]() | RSA6.1E N TR | RSA6.1E N TR ROHM SOT353 | RSA6.1E N TR.pdf | |
![]() | 293D475X0020C2T | 293D475X0020C2T VISHAY SMD or Through Hole | 293D475X0020C2T.pdf | |
![]() | S4F42Q1 | S4F42Q1 TOSHIBA 1210 | S4F42Q1.pdf | |
![]() | 1N5333B 5W3.3V | 1N5333B 5W3.3V MSC DO-27 | 1N5333B 5W3.3V.pdf | |
![]() | NL252018T-018K-PF | NL252018T-018K-PF TDK SMD or Through Hole | NL252018T-018K-PF.pdf | |
![]() | ICS8543AG-09LF | ICS8543AG-09LF ICS TSSOP-20 | ICS8543AG-09LF.pdf | |
![]() | KTR18PZPZF4303 | KTR18PZPZF4303 ORIGINAL SMD or Through Hole | KTR18PZPZF4303.pdf | |
![]() | HSK151 | HSK151 RENESAS LL34 | HSK151.pdf | |
![]() | K4S560832DNC75 | K4S560832DNC75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S560832DNC75.pdf | |
![]() | TRSF3223EIPWG4 | TRSF3223EIPWG4 TI TSSOP-20 | TRSF3223EIPWG4.pdf | |
![]() | MIC44208M | MIC44208M MIC SOP | MIC44208M.pdf |