창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH3N150 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH3N150 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1375pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH3N150 | |
| 관련 링크 | IXTH3, IXTH3N150 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445W33G30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33G30M00000.pdf | |
![]() | 416F5201XASR | 52MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F5201XASR.pdf | |
![]() | RT0805DRD07169RL | RES SMD 169 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD07169RL.pdf | |
![]() | PHP00805E8981BST1 | RES SMD 8.98K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E8981BST1.pdf | |
![]() | P51-1500-A-E-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1500-A-E-D-5V-000-000.pdf | |
![]() | 1SS271--TE85L | 1SS271--TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS271--TE85L.pdf | |
![]() | MAX9113ESA+ | MAX9113ESA+ MAXIM SOP8 | MAX9113ESA+.pdf | |
![]() | DP838L138VJE | DP838L138VJE N/A NA | DP838L138VJE.pdf | |
![]() | XPC860TZP50D3R2 | XPC860TZP50D3R2 Freescal BGA | XPC860TZP50D3R2.pdf | |
![]() | K3229 | K3229 ORIGINAL SMD or Through Hole | K3229.pdf | |
![]() | HEF4066BT/S242 | HEF4066BT/S242 PHILIPS SMD | HEF4066BT/S242.pdf | |
![]() | CX06D106K | CX06D106K VISHAY DIP | CX06D106K.pdf |