창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH3N150 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH3N150 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1375pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH3N150 | |
| 관련 링크 | IXTH3, IXTH3N150 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CMF6526R100FKR6 | RES 26.1 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6526R100FKR6.pdf | |
![]() | Y0062750R000T9L | RES 750 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0062750R000T9L.pdf | |
![]() | 4936NX | 4936NX ON QFN | 4936NX.pdf | |
![]() | RN5VS29CA-TL | RN5VS29CA-TL RICOH SOT-153 | RN5VS29CA-TL.pdf | |
![]() | ZV130K1210201R1 | ZV130K1210201R1 Seielect SMD | ZV130K1210201R1.pdf | |
![]() | Q5L226035K00DE3 | Q5L226035K00DE3 VISHAY DIP | Q5L226035K00DE3.pdf | |
![]() | MSM3100A208FBGA-TR(C | MSM3100A208FBGA-TR(C QUALCOMM BGA | MSM3100A208FBGA-TR(C.pdf | |
![]() | S-89220ACNC-1C1-TF | S-89220ACNC-1C1-TF SIEKO SOT353 | S-89220ACNC-1C1-TF.pdf | |
![]() | 5M | 5M ORIGINAL SMD or Through Hole | 5M.pdf | |
![]() | GC4722-30 | GC4722-30 Microsemi SMD or Through Hole | GC4722-30.pdf | |
![]() | MT8VDDT3264AY-40BG6 | MT8VDDT3264AY-40BG6 MICRON SMD or Through Hole | MT8VDDT3264AY-40BG6.pdf |