창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH30N50L2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q,T)30N50L2 Linear L2 Power Mosfets | |
| 주요제품 | Linear L2™ MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Linear L2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH30N50L2 | |
| 관련 링크 | IXTH30, IXTH30N50L2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | EEU-TA1H102S | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 125°C | EEU-TA1H102S.pdf | |
![]() | IXFX30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 | IXFX30N110P.pdf | |
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![]() | PQ1X271M2ZPH TEL:82766440 | PQ1X271M2ZPH TEL:82766440 SHARP SMD or Through Hole | PQ1X271M2ZPH TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1SS426 TL3SONY | 1SS426 TL3SONY TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS426 TL3SONY.pdf | |
![]() | SJA100 | SJA100 NXP DIP SOP28 | SJA100.pdf | |
![]() | 5104DB | 5104DB ON SOT-263 | 5104DB.pdf | |
![]() | MAX692AMJA/883B | MAX692AMJA/883B MAXIN SMD or Through Hole | MAX692AMJA/883B.pdf | |
![]() | B1179BS-470M | B1179BS-470M TOKO SMD or Through Hole | B1179BS-470M.pdf | |
![]() | R3112Q231C-TR | R3112Q231C-TR RICOH SOT-343 | R3112Q231C-TR.pdf |