창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH300N04T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTH300N04T2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchT2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 480W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH300N04T2 | |
관련 링크 | IXTH300, IXTH300N04T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 7V-14.31818MAAE-T | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-14.31818MAAE-T.pdf | |
![]() | XRCGB33M868F4G00R0 | 33.868MHz ±45ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB33M868F4G00R0.pdf | |
![]() | Y5076V0297BQ0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y5076V0297BQ0L.pdf | |
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![]() | EMD2T2R NOPB | EMD2T2R NOPB ROHM SOT466 | EMD2T2R NOPB.pdf | |
![]() | G356ENM-K5108 | G356ENM-K5108 ORIGINAL PB | G356ENM-K5108.pdf | |
![]() | 4043506 | 4043506 GOULD SMD or Through Hole | 4043506.pdf | |
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![]() | DAC8830ICDT | DAC8830ICDT TI 8SOIC | DAC8830ICDT.pdf | |
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