창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH300N04T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTH300N04T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH300N04T2 | |
| 관련 링크 | IXTH300, IXTH300N04T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 7B12070003 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B12070003.pdf | |
![]() | IMC1210ER4R7K | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 224mA 1.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ER4R7K.pdf | |
![]() | RT1210CRD072K74L | RES SMD 2.74KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD072K74L.pdf | |
![]() | HJK-894MH-1PD | HJK-894MH-1PD MINI SMD or Through Hole | HJK-894MH-1PD.pdf | |
![]() | TLC274ANSR-MAND | TLC274ANSR-MAND TI SOP 14 | TLC274ANSR-MAND.pdf | |
![]() | 10*16-15UH | 10*16-15UH XW SMD or Through Hole | 10*16-15UH.pdf | |
![]() | RC38F1030WOYBQES | RC38F1030WOYBQES INTEL BGA | RC38F1030WOYBQES.pdf | |
![]() | 50G64741MBM1.1 | 50G64741MBM1.1 WDC QFP | 50G64741MBM1.1.pdf | |
![]() | DP8440VLJ-40 | DP8440VLJ-40 ORIGINAL SMD or Through Hole | DP8440VLJ-40.pdf | |
![]() | AMPLIFIER3450 ISOLATTON(BB3450) | AMPLIFIER3450 ISOLATTON(BB3450) BB MODEL | AMPLIFIER3450 ISOLATTON(BB3450).pdf | |
![]() | V53C16256HT45/HT50 | V53C16256HT45/HT50 MEMORY SMD | V53C16256HT45/HT50.pdf | |
![]() | DAC5687IPZPR | DAC5687IPZPR TI TQFP(100 | DAC5687IPZPR.pdf |