창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH20N60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,M)20N60 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | MegaMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH20N60 | |
관련 링크 | IXTH2, IXTH20N60 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VGAS120626F540DP | VARISTOR 33V 200A 1206 | VGAS120626F540DP.pdf | |
![]() | 445A3XB12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XB12M00000.pdf | |
![]() | ISC1210ER4R7J | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 220mA 1.25 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ER4R7J.pdf | |
![]() | DA14583-01F01AT2 | IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.1 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad | DA14583-01F01AT2.pdf | |
![]() | MC34113P | MC34113P FREESCALE SMD or Through Hole | MC34113P.pdf | |
![]() | SWA323 | SWA323 DIS SMD or Through Hole | SWA323.pdf | |
![]() | HII-201-8 | HII-201-8 ORIGINAL SMD or Through Hole | HII-201-8.pdf | |
![]() | ADG604BP | ADG604BP AD SMD or Through Hole | ADG604BP.pdf | |
![]() | LT1077MJ8 | LT1077MJ8 LT CDIP8 | LT1077MJ8.pdf | |
![]() | XPC805DLZT50BU | XPC805DLZT50BU MOT QFP | XPC805DLZT50BU.pdf | |
![]() | ME50/206 | ME50/206 PRX SMD or Through Hole | ME50/206.pdf | |
![]() | AD9685TD | AD9685TD AD DIP | AD9685TD.pdf |