창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH20N50D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,T)20N50D | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH20N50D | |
| 관련 링크 | IXTH20, IXTH20N50D 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808A390JBLAT4X | 39pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A390JBLAT4X.pdf | |
![]() | HE721C0520 | Reed Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | HE721C0520.pdf | |
![]() | MB87M4541 | MB87M4541 FUJSTU BGA | MB87M4541.pdf | |
![]() | 45SC15BE-45M-MN15-319 | 45SC15BE-45M-MN15-319 ORIGINAL SMD or Through Hole | 45SC15BE-45M-MN15-319.pdf | |
![]() | TC160G54HS | TC160G54HS TOSHIBA QFP128 | TC160G54HS.pdf | |
![]() | RL1C107M0811M | RL1C107M0811M samwha DIP-2 | RL1C107M0811M.pdf | |
![]() | MP2505 | MP2505 SEP DIP-4 | MP2505.pdf | |
![]() | R23 | R23 NEC SMD(SOT-23) | R23.pdf | |
![]() | UPD17005GF-630-3B9 | UPD17005GF-630-3B9 NEC IC | UPD17005GF-630-3B9.pdf | |
![]() | WJLXT973C | WJLXT973C ALTERA PQFP | WJLXT973C.pdf | |
![]() | PDG008-D | PDG008-D PIONEER DIP-64P | PDG008-D.pdf | |
![]() | K7R323601M-FC16 | K7R323601M-FC16 SAMSUNG BGA | K7R323601M-FC16.pdf |