IXYS IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV
제조업체 부품 번호
IXTH1N200P3HV
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
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IXTH1N200P3HV 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXTH1N200P3HV
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXTx1N200P3(HV)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)2000V(2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs40옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds646pF @ 25V
전력 - 최대125W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247HV
표준 포장 30
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTH1N200P3HV
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