창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH1N200P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTx1N200P3(HV) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2000V(2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 646pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH1N200P3 | |
| 관련 링크 | IXTH1N, IXTH1N200P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0335C1E6R1DB01D | 6.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E6R1DB01D.pdf | |
![]() | IMC1008ER3R3J | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 185mA 2.85 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ER3R3J.pdf | |
![]() | 2JSR5101-680TAN | 2JSR5101-680TAN TDK SMD or Through Hole | 2JSR5101-680TAN.pdf | |
![]() | 87013-605 | 87013-605 FCI con | 87013-605.pdf | |
![]() | PEB3265H1.2 | PEB3265H1.2 INFINEON QFP | PEB3265H1.2.pdf | |
![]() | RC0402FR-07 10RL | RC0402FR-07 10RL YAGEOUSAHK SMD or Through Hole | RC0402FR-07 10RL.pdf | |
![]() | 86X87-1 | 86X87-1 RCA CAN | 86X87-1.pdf | |
![]() | 9931MAW | 9931MAW ORIGINAL SOP-20 | 9931MAW.pdf | |
![]() | PD55035S | PD55035S STM SO-10RF | PD55035S.pdf | |
![]() | TFK208B | TFK208B TFK DIP8 | TFK208B.pdf | |
![]() | AM29F010B-90EF | AM29F010B-90EF AMD TSOP | AM29F010B-90EF.pdf |