창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q)130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH130N10T | |
| 관련 링크 | IXTH13, IXTH130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | DSC1001DI5-022.5792 | 22.5792MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 6.3mA Enable/Disable | DSC1001DI5-022.5792.pdf | |
![]() | RT2512BKE07226RL | RES SMD 226 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE07226RL.pdf | |
![]() | CMF6054K900FHEK | RES 54.9K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6054K900FHEK.pdf | |
![]() | 4710082-100 | 4710082-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4710082-100.pdf | |
![]() | ZL70190GLB2 | ZL70190GLB2 ZARLINK BGA | ZL70190GLB2.pdf | |
![]() | 36801JR18J | 36801JR18J TYCO O6O3 | 36801JR18J.pdf | |
![]() | PN1810RM | PN1810RM PAN FUSEHOLDER | PN1810RM.pdf | |
![]() | CV4269N24 | CV4269N24 PHILIPS DIP | CV4269N24.pdf | |
![]() | SVT965960 | SVT965960 Celduc SMD or Through Hole | SVT965960.pdf | |
![]() | 2FI100E-080 | 2FI100E-080 FUJI MODULE | 2FI100E-080.pdf |