창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH130N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(H,Q)130N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH130N10T | |
| 관련 링크 | IXTH13, IXTH130N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 25WA4700MEFCGC18X25 | 4700µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 25WA4700MEFCGC18X25.pdf | |
![]() | PG1083.103NL | 10.5µH Unshielded Wirewound Inductor 17.5A 6 mOhm Max Nonstandard | PG1083.103NL.pdf | |
![]() | LFN2450A | LFN2450A P/N QFN | LFN2450A.pdf | |
![]() | RL1H154M05011 | RL1H154M05011 SAMWH DIP | RL1H154M05011.pdf | |
![]() | TEESVC21E106M12R | TEESVC21E106M12R NEC SMD | TEESVC21E106M12R.pdf | |
![]() | BYV71-200 | BYV71-200 NXP TO-220 | BYV71-200.pdf | |
![]() | UDZSTE-17 5.6B5.6/0805 | UDZSTE-17 5.6B5.6/0805 ROHM SMD or Through Hole | UDZSTE-17 5.6B5.6/0805.pdf | |
![]() | TH4008.1 | TH4008.1 AMIS SOP | TH4008.1.pdf | |
![]() | ATT6C503A | ATT6C503A ATMEL QFP | ATT6C503A.pdf | |
![]() | HS1068B | HS1068B o dip | HS1068B.pdf | |
![]() | GRM1555C1H5R9CZ01B | GRM1555C1H5R9CZ01B muRata SMD or Through Hole | GRM1555C1H5R9CZ01B.pdf | |
![]() | BA9T11 | BA9T11 P QFN8 | BA9T11.pdf |