창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH12N90 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(H,M)12N90 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | MegaMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH12N90 | |
관련 링크 | IXTH1, IXTH12N90 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
0ZCH0110FF2E | PTC RESTTBLE 1.10A 6V CHIP 1210 | 0ZCH0110FF2E.pdf | ||
RG2012P-1620-W-T5 | RES SMD 162 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-1620-W-T5.pdf | ||
T494E337K010AS | T494E337K010AS KEMET SMD | T494E337K010AS.pdf | ||
T99-0010-1010-4 | T99-0010-1010-4 ORIGINAL CONN | T99-0010-1010-4.pdf | ||
DF20NA80S | DF20NA80S Shindengen N A | DF20NA80S.pdf | ||
DS10135-30 | DS10135-30 DALLAS SOP | DS10135-30.pdf | ||
SZ105B(1W5.1V) | SZ105B(1W5.1V) EIC SMD or Through Hole | SZ105B(1W5.1V).pdf | ||
LL-S190PUGC-2B | LL-S190PUGC-2B ORIGINAL SMD or Through Hole | LL-S190PUGC-2B.pdf | ||
H27US08121B | H27US08121B HYNIX SOP | H27US08121B.pdf | ||
AHA1063 | AHA1063 N/A SMD or Through Hole | AHA1063.pdf | ||
Z27C210A-12JI | Z27C210A-12JI TI DIP | Z27C210A-12JI.pdf | ||
WSL2010R2000DEA | WSL2010R2000DEA VISHAY SMD | WSL2010R2000DEA.pdf |