창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH12N65X2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXTx12N65X2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH12N65X2 | |
관련 링크 | IXTH12, IXTH12N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 1PMT4122CE3/TR13 | DIODE ZENER 36V 1W DO216 | 1PMT4122CE3/TR13.pdf | |
![]() | DRC5115G0L | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 | DRC5115G0L.pdf | |
![]() | A2T21H100-25SR3 | IC RF LDMOS TRANS CELL | A2T21H100-25SR3.pdf | |
![]() | L7C162PC15 | L7C162PC15 LOGIC PDIP | L7C162PC15.pdf | |
![]() | BLM11A151SGPTM00-03(BLM18AG151SN1D) | BLM11A151SGPTM00-03(BLM18AG151SN1D) MURATA 0603-151 | BLM11A151SGPTM00-03(BLM18AG151SN1D).pdf | |
![]() | NOJC107M006RWJV/6.3V 100UF | NOJC107M006RWJV/6.3V 100UF AVX C | NOJC107M006RWJV/6.3V 100UF.pdf | |
![]() | UPRMA1A05B | UPRMA1A05B CPCLARE DIP8 | UPRMA1A05B.pdf | |
![]() | 50w-1 | 50w-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 50w-1.pdf | |
![]() | AD7507SQ/883 | AD7507SQ/883 AD DIP | AD7507SQ/883.pdf | |
![]() | M74HC240-1P | M74HC240-1P MIT DIP | M74HC240-1P.pdf | |
![]() | LH0042MH | LH0042MH NS CAN8 | LH0042MH.pdf | |
![]() | K4S560832E-UC75:3.2 | K4S560832E-UC75:3.2 SAMSUNG TSOP | K4S560832E-UC75:3.2.pdf |