창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH12N100Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTH12N100Q | |
관련 링크 | IXTH12, IXTH12N100Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | UMK325F105ZF-T | 1µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | UMK325F105ZF-T.pdf | |
![]() | SR072A820GAATR1 | 82pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR072A820GAATR1.pdf | |
![]() | ASG2-D-X-B-500.000MHZ | 500MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 40mA Enable/Disable | ASG2-D-X-B-500.000MHZ.pdf | |
![]() | 7447471033 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 10.6 mOhm Max Radial | 7447471033.pdf | |
![]() | AA1218FK-07158KL | RES SMD 158K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-07158KL.pdf | |
![]() | KA2309 | KA2309 SAM DIP | KA2309.pdf | |
![]() | RTN02-10/100R | RTN02-10/100R ORIGINAL SMD | RTN02-10/100R.pdf | |
![]() | ABLS19.6608MHZ20 | ABLS19.6608MHZ20 ABRACON SMD or Through Hole | ABLS19.6608MHZ20.pdf | |
![]() | MAX382EWN | MAX382EWN MAXIM SMD or Through Hole | MAX382EWN.pdf | |
![]() | 046240040003800- | 046240040003800- KYOCERA 40P | 046240040003800-.pdf | |
![]() | JDV2S08S(TPH3F) | JDV2S08S(TPH3F) TOSHIBA SMD or Through Hole | JDV2S08S(TPH3F).pdf | |
![]() | BD82IBXM QV97 | BD82IBXM QV97 INTEL FCBGA | BD82IBXM QV97.pdf |