창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA90N075T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)90N075T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA90N075T2 | |
| 관련 링크 | IXTA90N, IXTA90N075T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MCR10EZPF4992 | RES SMD 49.9K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF4992.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1003U | RES SMD 100K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1003U.pdf | |
![]() | NAX0578-001X(200000khz) | NAX0578-001X(200000khz) ORIGINAL SOP | NAX0578-001X(200000khz).pdf | |
![]() | FH12-32S-0.5SH | FH12-32S-0.5SH HRS FPC-0.5-32P-BX | FH12-32S-0.5SH.pdf | |
![]() | LSI64636C1 | LSI64636C1 LSI BGA | LSI64636C1.pdf | |
![]() | FCP12AC12HPC-5EP | FCP12AC12HPC-5EP SAKAE SMD or Through Hole | FCP12AC12HPC-5EP.pdf | |
![]() | MC3269DTRK-5.0 | MC3269DTRK-5.0 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC3269DTRK-5.0.pdf | |
![]() | MBM29LV800T-10PFTN | MBM29LV800T-10PFTN FUJIS TSOP | MBM29LV800T-10PFTN.pdf | |
![]() | GRM033R60J473ME19D | GRM033R60J473ME19D murata SMD or Through Hole | GRM033R60J473ME19D.pdf | |
![]() | W2416S-L | W2416S-L Winbond SOP24 | W2416S-L.pdf | |
![]() | ELM-1082GWB | ELM-1082GWB EVERLIGHT DIP | ELM-1082GWB.pdf | |
![]() | D43256C-10LL | D43256C-10LL NEC SMD or Through Hole | D43256C-10LL.pdf |