창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA90N075T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)90N075T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA90N075T2 | |
| 관련 링크 | IXTA90N, IXTA90N075T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D681FLAAT | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D681FLAAT.pdf | |
![]() | NBPLLNN060PAUNV | Pressure Sensor 60 PSI (413.69 kPa) Absolute Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 105 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port | NBPLLNN060PAUNV.pdf | |
![]() | DB3210P1A/5 | DB3210P1A/5 ORIGINAL BGA | DB3210P1A/5.pdf | |
![]() | 74AUP1G126DRLR | 74AUP1G126DRLR TI 74AUP1G126DRLR | 74AUP1G126DRLR.pdf | |
![]() | 25LC080ISN | 25LC080ISN ORIGINAL SOP | 25LC080ISN.pdf | |
![]() | TNR40MGB27-T | TNR40MGB27-T NIPPON SMD or Through Hole | TNR40MGB27-T.pdf | |
![]() | VI-3WO-CW-F1 | VI-3WO-CW-F1 ORIGINAL SMD or Through Hole | VI-3WO-CW-F1.pdf | |
![]() | HCG7A2E103YPH | HCG7A2E103YPH HIT DIP | HCG7A2E103YPH.pdf | |
![]() | D1609 | D1609 HIT SMD or Through Hole | D1609.pdf | |
![]() | XPC8212P50B3 | XPC8212P50B3 N/A BGA | XPC8212P50B3.pdf | |
![]() | P80C31B | P80C31B ORIGINAL SMD or Through Hole | P80C31B.pdf |