창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA76N25T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,H,P,Q,T)76N25T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 460W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA76N25T | |
| 관련 링크 | IXTA76, IXTA76N25T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MMZ1608R102CTA00 | 1 kOhm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 400mA 1 Lines 500 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | MMZ1608R102CTA00.pdf | |
![]() | ERJ-B2BJ1R5V | RES SMD 1.5 OHM 1W 1206 WIDE | ERJ-B2BJ1R5V.pdf | |
![]() | E22/6/16/R-3C90-A250-P | E22/6/16/R-3C90-A250-P FERROX SMD or Through Hole | E22/6/16/R-3C90-A250-P.pdf | |
![]() | BTA24-600TRG | BTA24-600TRG ST TO-220 | BTA24-600TRG.pdf | |
![]() | 04442QB/14970-501/SPR-00175 | 04442QB/14970-501/SPR-00175 ORIGINAL BGA | 04442QB/14970-501/SPR-00175.pdf | |
![]() | AD17F7899C | AD17F7899C AD CDIP8 | AD17F7899C.pdf | |
![]() | AP2121N-1.2TRE1 | AP2121N-1.2TRE1 BCD SOT23 | AP2121N-1.2TRE1.pdf | |
![]() | 23306121TG | 23306121TG N/A SMD or Through Hole | 23306121TG.pdf | |
![]() | QS7203-35P | QS7203-35P QS DIP | QS7203-35P.pdf | |
![]() | CIM31J301 | CIM31J301 Samsung SMD | CIM31J301.pdf | |
![]() | BFN22E-6327 | BFN22E-6327 SIE SMD or Through Hole | BFN22E-6327.pdf | |
![]() | 8DN3LL- | 8DN3LL- ST SOP8 | 8DN3LL-.pdf |