창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA56N15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)56N15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 28A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA56N15T | |
| 관련 링크 | IXTA56, IXTA56N15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T.pdf | |
![]() | HRG3216P-1471-B-T1 | RES SMD 1.47K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1471-B-T1.pdf | |
![]() | H856RFZA | RES 56.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | H856RFZA.pdf | |
![]() | M533222E-06 | M533222E-06 N/A SOP | M533222E-06.pdf | |
![]() | EKME401ETD2R2MJ16S | EKME401ETD2R2MJ16S NIPPONCHEMI-COM DIP | EKME401ETD2R2MJ16S.pdf | |
![]() | 54F251/BEA | 54F251/BEA PHILIPS DIP | 54F251/BEA.pdf | |
![]() | SWD103AWS-S4 | SWD103AWS-S4 ORIGINAL SOD-323 | SWD103AWS-S4.pdf | |
![]() | MUXO8F | MUXO8F AD DIP | MUXO8F.pdf | |
![]() | PDN-101QS | PDN-101QS CMD SSOP24 | PDN-101QS.pdf | |
![]() | MAX8595Z | MAX8595Z MAXIM SMD or Through Hole | MAX8595Z.pdf | |
![]() | EL0607RA-222J | EL0607RA-222J ORIGINAL SMD or Through Hole | EL0607RA-222J.pdf | |
![]() | LMU16PC-65 | LMU16PC-65 LOGIC DIP | LMU16PC-65.pdf |