창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA42N25P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P,Q)42N25P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 84m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA42N25P | |
| 관련 링크 | IXTA42, IXTA42N25P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 2030.0021 | FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC RAD | 2030.0021.pdf | |
![]() | ERJ-6GEYJ825V | RES SMD 8.2M OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6GEYJ825V.pdf | |
![]() | PI3360A2G/VT3360A-U03 | PI3360A2G/VT3360A-U03 ORIGINAL BGA | PI3360A2G/VT3360A-U03.pdf | |
![]() | 3513F | 3513F UTC DIP-16 | 3513F.pdf | |
![]() | M5LV128/745VC7VI | M5LV128/745VC7VI LAT PQFP | M5LV128/745VC7VI.pdf | |
![]() | EPF8282ATC100-2/4 | EPF8282ATC100-2/4 ALTERA QFP | EPF8282ATC100-2/4.pdf | |
![]() | SIEMENSAG | SIEMENSAG AMIS QFP100 | SIEMENSAG.pdf | |
![]() | 1K123M | 1K123M ORIGINAL SMD or Through Hole | 1K123M.pdf | |
![]() | LY4-100/110VAC | LY4-100/110VAC ORIGINAL SMD or Through Hole | LY4-100/110VAC.pdf | |
![]() | S29GL032N90BFI040E | S29GL032N90BFI040E SPANSION SMD or Through Hole | S29GL032N90BFI040E.pdf | |
![]() | FCR24.000M | FCR24.000M TDK DIP | FCR24.000M.pdf |