창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA3N150HV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA3N150HV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38.6nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1375pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA3N150HV | |
| 관련 링크 | IXTA3N, IXTA3N150HV 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CD5CCC120J03 | CD5CCC120J03 CDE SMD or Through Hole | CD5CCC120J03.pdf | |
![]() | SY100EL16VBZCTR | SY100EL16VBZCTR MICRELSYNERGY SOP8 | SY100EL16VBZCTR.pdf | |
![]() | 1401/1 | 1401/1 ORIGINAL QFP | 1401/1.pdf | |
![]() | ADS8471IBRGZRG4 | ADS8471IBRGZRG4 ORIGINAL DIPSMD | ADS8471IBRGZRG4.pdf | |
![]() | 780102 | 780102 ORIGINAL SSOP30 | 780102.pdf | |
![]() | DSA605-29A | DSA605-29A ORIGINAL SMD or Through Hole | DSA605-29A.pdf | |
![]() | 2N3171 | 2N3171 ISC TO-3 | 2N3171.pdf | |
![]() | D10PF06-1 | D10PF06-1 ST TO-251 | D10PF06-1.pdf | |
![]() | 84VD22193EB-90 | 84VD22193EB-90 FUJITSU BGA | 84VD22193EB-90.pdf | |
![]() | LTC4085ED | LTC4085ED LINEAR QFN-14 | LTC4085ED.pdf | |
![]() | TEA3718CP | TEA3718CP STM SMD or Through Hole | TEA3718CP.pdf | |
![]() | P8201 | P8201 EPCOS SMD or Through Hole | P8201.pdf |