창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA220N04T2-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA220N04T2-7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 220A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 112nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6820pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263-7(IXTA..7) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IXTA220N04T27 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA220N04T2-7 | |
| 관련 링크 | IXTA220N, IXTA220N04T2-7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | HAX682MBACF0KR | 6800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HAX682MBACF0KR.pdf | |
![]() | SI8661EC-B-IS1R | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 6 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8661EC-B-IS1R.pdf | |
![]() | MCR18ERTF28R7 | RES SMD 28.7 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF28R7.pdf | |
![]() | RP73D2B93K1BTDF | RES SMD 93.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B93K1BTDF.pdf | |
![]() | S57790 | S57790 JRC ZIP13 | S57790.pdf | |
![]() | LM78CCVFXB | LM78CCVFXB NS QFP | LM78CCVFXB.pdf | |
![]() | MURF2020 | MURF2020 SSG SMD or Through Hole | MURF2020.pdf | |
![]() | SG-615P 25.0000MC0 | SG-615P 25.0000MC0 EPSON NA | SG-615P 25.0000MC0.pdf | |
![]() | 74LVC245APGG | 74LVC245APGG IDT TSSOP20 | 74LVC245APGG.pdf | |
![]() | 4650-6301 | 4650-6301 M SMD or Through Hole | 4650-6301.pdf | |
![]() | SCR-3216(4.7K) | SCR-3216(4.7K) SAMSUNG SMD or Through Hole | SCR-3216(4.7K).pdf | |
![]() | UMK316BJ104KDT | UMK316BJ104KDT Taiyo SMD | UMK316BJ104KDT.pdf |