창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA1R6N50D2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(Y,A,P)1R6N50D2 | |
주요제품 | Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 800mA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 645pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA1R6N50D2 | |
관련 링크 | IXTA1R6, IXTA1R6N50D2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ2220Y123KBAAT4X | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y123KBAAT4X.pdf | |
![]() | MKP1840610255 | 10µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | MKP1840610255.pdf | |
![]() | 1.5SMC10A-M3/57T | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMCJ | 1.5SMC10A-M3/57T.pdf | |
![]() | SIT1618BA-23-33E-27.000000E | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT1618BA-23-33E-27.000000E.pdf | |
![]() | S3483R-180M | 18µH Shielded Wirewound Inductor 1mA 120 mOhm Max Nonstandard | S3483R-180M.pdf | |
![]() | E2EC-C3D1-M1GJ-1 | Inductive Proximity Sensor 0.098" (2.5mm) IP67 Cylinder | E2EC-C3D1-M1GJ-1.pdf | |
![]() | IR7601TRPBF | IR7601TRPBF IRF TSSOP-8 | IR7601TRPBF.pdf | |
![]() | 1210N682J101LT | 1210N682J101LT WSLSIN SMD | 1210N682J101LT.pdf | |
![]() | KS57C2616-TZ | KS57C2616-TZ SAMSUNG QFP | KS57C2616-TZ.pdf | |
![]() | ACE50116AM+H | ACE50116AM+H ACE SOT89-3 | ACE50116AM+H.pdf | |
![]() | P921F064AR-1 | P921F064AR-1 SONY LQFP100 | P921F064AR-1.pdf | |
![]() | REG602003 | REG602003 MAJOR SMD or Through Hole | REG602003.pdf |