IXYS IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P
제조업체 부품 번호
IXTA1R4N120P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
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내부 부품 번호EIS-IXTA1R4N120P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXT(A,P)1R4N120P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열Polar™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs13옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds666pF @ 25V
전력 - 최대86W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263(IXTA)
표준 포장 50
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTA1R4N120P
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