창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTA1N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXT(A,P)1N120P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarVHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXTA1N120P | |
관련 링크 | IXTA1N, IXTA1N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | BFC237524682 | 6800pF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.236" W (18.50mm x 6.00mm) | BFC237524682.pdf | |
![]() | MPI2520R1-R47-R | 470nH Shielded Multilayer Inductor 4.5A 24 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | MPI2520R1-R47-R.pdf | |
![]() | RC0201DR-07300KL | RES SMD 300K OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-07300KL.pdf | |
![]() | RT0805FRE0784K5L | RES SMD 84.5K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE0784K5L.pdf | |
![]() | RNL06AJB-10K | RNL06AJB-10K YAGEO SIP-9 | RNL06AJB-10K.pdf | |
![]() | MTA11200/P | MTA11200/P MICROCHIP DIP28 | MTA11200/P.pdf | |
![]() | LL2012-F82NJ NOPB | LL2012-F82NJ NOPB TOKO SMD or Through Hole | LL2012-F82NJ NOPB.pdf | |
![]() | BCX70K/AK | BCX70K/AK ORIGINAL SOT-23 | BCX70K/AK.pdf | |
![]() | FCN-234J096-G/Y | FCN-234J096-G/Y FujitsuComponents NA | FCN-234J096-G/Y.pdf | |
![]() | GD110N16 | GD110N16 IR SMD or Through Hole | GD110N16.pdf | |
![]() | TMP87CH00DF-1145 | TMP87CH00DF-1145 TOSHIBA QFP | TMP87CH00DF-1145.pdf | |
![]() | RJJ-50V680MG3E | RJJ-50V680MG3E ELNA SMD or Through Hole | RJJ-50V680MG3E.pdf |