창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA180N10T7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA180N10T7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 151nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263-7(IXTA..7) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA180N10T7 | |
| 관련 링크 | IXTA180, IXTA180N10T7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 74408941029 | 2.9µH Shielded Wirewound Inductor 1.55A 101 mOhm Max 1919 (4848 Metric) | 74408941029.pdf | |
![]() | HS10 4K7 F | RES CHAS MNT 4.7K OHM 1% 10W | HS10 4K7 F.pdf | |
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![]() | GPL32300-102A | GPL32300-102A GENERALPL SMD or Through Hole | GPL32300-102A.pdf | |
![]() | IDT7201-LA120D | IDT7201-LA120D IDT DIP | IDT7201-LA120D.pdf | |
![]() | Z16C3220VSG00TR | Z16C3220VSG00TR Zilog SMD or Through Hole | Z16C3220VSG00TR.pdf | |
![]() | MLUC4AS01BCST1A | MLUC4AS01BCST1A AGERE SMD or Through Hole | MLUC4AS01BCST1A.pdf | |
![]() | APTC60AM70T1G | APTC60AM70T1G Microsemi/APT SP1 | APTC60AM70T1G.pdf | |
![]() | dta114ecca | dta114ecca ORIGINAL SMD or Through Hole | dta114ecca.pdf |