창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA160N04T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)160N04T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA160N04T2 | |
| 관련 링크 | IXTA160, IXTA160N04T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12183RJV | 0.018µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.906" L x 0.295" W (23.00mm x 7.50mm) | ECW-H12183RJV.pdf | |
![]() | EMC1073-A-AIZL-TR. | EMC1073-A-AIZL-TR. SMSC MSSOP | EMC1073-A-AIZL-TR..pdf | |
![]() | 794219-1 | 794219-1 TYCO SMD or Through Hole | 794219-1.pdf | |
![]() | PC911L0YSZ0F | PC911L0YSZ0F SHARP DIP8 | PC911L0YSZ0F.pdf | |
![]() | 7900A | 7900A ORIGINAL QFN-8 | 7900A.pdf | |
![]() | XCSG40XL-4PQG240 | XCSG40XL-4PQG240 XILINX QFP240 | XCSG40XL-4PQG240.pdf | |
![]() | UPJ1E221MPH1TD | UPJ1E221MPH1TD NICHONIC SMD | UPJ1E221MPH1TD.pdf | |
![]() | RFD3055LESM9R4694 | RFD3055LESM9R4694 HARRIS SMD or Through Hole | RFD3055LESM9R4694.pdf | |
![]() | N1200-RD037HXL | N1200-RD037HXL N/A SMD or Through Hole | N1200-RD037HXL.pdf | |
![]() | TS5L100DG4 | TS5L100DG4 TI SOIC | TS5L100DG4.pdf | |
![]() | SRM2017M-12 | SRM2017M-12 SEIKO SMD or Through Hole | SRM2017M-12.pdf |