창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA15P15T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(Y,A,P)15P15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchP™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3650pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA15P15T | |
| 관련 링크 | IXTA15, IXTA15P15T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | PRG3216P-2871-B-T5 | RES SMD 2.87K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-2871-B-T5.pdf | |
![]() | 27M20 | 27M20 ORIGINAL DIP | 27M20.pdf | |
![]() | SK010M0470A3F0811 | SK010M0470A3F0811 yageo SMD or Through Hole | SK010M0470A3F0811.pdf | |
![]() | AXK720245 | AXK720245 ORIGINAL DIP SMD | AXK720245.pdf | |
![]() | W9NB80 | W9NB80 ST TO-3P | W9NB80.pdf | |
![]() | AT89C55-12PI | AT89C55-12PI ATMEL SMD or Through Hole | AT89C55-12PI.pdf | |
![]() | 24C04SI | 24C04SI ATNEL SOP-8 | 24C04SI.pdf | |
![]() | VCH4AG150R8MA | VCH4AG150R8MA AVX SMD or Through Hole | VCH4AG150R8MA.pdf | |
![]() | 2554126-057 | 2554126-057 BZD DIP | 2554126-057.pdf | |
![]() | HEN1C271MB12 | HEN1C271MB12 HICON/HIT DIP | HEN1C271MB12.pdf | |
![]() | FR1114C | FR1114C STANLEY PB-FREE | FR1114C.pdf | |
![]() | AFK227M63H32T | AFK227M63H32T ORIGINAL SMD or Through Hole | AFK227M63H32T.pdf |