창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA130N065T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)130N065T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 65V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA130N065T2 | |
| 관련 링크 | IXTA130, IXTA130N065T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CBR04C709D1GAC | 7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C709D1GAC.pdf | |
![]() | MKT1820333405 | 0.033µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | MKT1820333405.pdf | |
![]() | ABNTC-0402-103J-3380F-T | NTC Thermistor 10k 0402 (1005 Metric) | ABNTC-0402-103J-3380F-T.pdf | |
![]() | L2K2-MWN2-11-BS00 | L2K2-MWN2-11-BS00 LUMILEDS ROHS | L2K2-MWN2-11-BS00.pdf | |
![]() | ST6P-2 | ST6P-2 ORIGINAL NULL | ST6P-2.pdf | |
![]() | 5473-11 | 5473-11 Tyco/AMP N A | 5473-11.pdf | |
![]() | MB84VF5F5F5L2-70PBS-NJ | MB84VF5F5F5L2-70PBS-NJ FUJITSU BGA | MB84VF5F5F5L2-70PBS-NJ.pdf | |
![]() | SP-75-48 | SP-75-48 MW SMD or Through Hole | SP-75-48.pdf | |
![]() | TCSCE1V685KDAR0500 | TCSCE1V685KDAR0500 SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCE1V685KDAR0500.pdf | |
![]() | MCH6331S-TL-E | MCH6331S-TL-E Sanyo SMD or Through Hole | MCH6331S-TL-E.pdf | |
![]() | T8207 | T8207 AGERE BGA | T8207.pdf | |
![]() | K4H560438E-ZCB3 | K4H560438E-ZCB3 SAMSUNG 60FBGA | K4H560438E-ZCB3.pdf |