창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA12N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTx12N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AA | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA12N65X2 | |
| 관련 링크 | IXTA12, IXTA12N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | IXFP4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | IXFP4N100Q.pdf | |
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![]() | B3SB009Z | B3SB009Z ORIGINAL SMD or Through Hole | B3SB009Z.pdf | |
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![]() | 43650-0916 | 43650-0916 MOLEX SMD or Through Hole | 43650-0916.pdf | |
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![]() | D66EV650 | D66EV650 PRX MODULE | D66EV650.pdf | |
![]() | FZH201/6IN30 | FZH201/6IN30 SIEMENS DIP | FZH201/6IN30.pdf | |
![]() | TLGE262 | TLGE262 TOSHIBA ROHS | TLGE262.pdf | |
![]() | 25.194.0753.0 | 25.194.0753.0 WIELAND Call | 25.194.0753.0.pdf | |
![]() | SG-636PCE19.440000MHZC | SG-636PCE19.440000MHZC EPSON ORIGINAL | SG-636PCE19.440000MHZC.pdf | |
![]() | 5512-8-048 | 5512-8-048 rele SMD or Through Hole | 5512-8-048.pdf |