창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA120N04T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXT(A,P)120N04T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3240pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(IXTA) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA120N04T2 | |
| 관련 링크 | IXTA120, IXTA120N04T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D0R2BXAAC | 0.20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R2BXAAC.pdf | |
![]() | RN1421TE85LF | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | RN1421TE85LF.pdf | |
![]() | CMF55147K00DHEA | RES 147K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55147K00DHEA.pdf | |
![]() | TLC2272MDRCT | TLC2272MDRCT TI SOP-8 | TLC2272MDRCT.pdf | |
![]() | LF LK1608 R82K-T | LF LK1608 R82K-T TAIYO SMD | LF LK1608 R82K-T.pdf | |
![]() | 2963734 | 2963734 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2963734.pdf | |
![]() | PT1017 | PT1017 TIX TO-220 | PT1017.pdf | |
![]() | 5962-8777101M3A | 5962-8777101M3A AD LCC | 5962-8777101M3A.pdf | |
![]() | DF21-20S-0.6V 56 | DF21-20S-0.6V 56 HRS SMD or Through Hole | DF21-20S-0.6V 56.pdf | |
![]() | K9S2808V0C-SSB0000 | K9S2808V0C-SSB0000 SAMSUNG NA | K9S2808V0C-SSB0000.pdf | |
![]() | BQ20Z70PW-V110 | BQ20Z70PW-V110 TI BatteryManagementI | BQ20Z70PW-V110.pdf | |
![]() | PN0403-6R8M | PN0403-6R8M EREMO SMD | PN0403-6R8M.pdf |