창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTA110N055T7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXTA110N055T7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchMV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 67nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263-7(IXTA..7) | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXTA110N055T7 | |
| 관련 링크 | IXTA110, IXTA110N055T7 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW2010100RFKEFHP | RES SMD 100 OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010100RFKEFHP.pdf | |
![]() | IPP10N03LB,IPP03N03LA,IPP04N03L | IPP10N03LB,IPP03N03LA,IPP04N03L INFINEON SMD or Through Hole | IPP10N03LB,IPP03N03LA,IPP04N03L.pdf | |
![]() | VP5513ACG | VP5513ACG MITEL SMD or Through Hole | VP5513ACG.pdf | |
![]() | 8.25MHZ | 8.25MHZ ORIGINAL SMD | 8.25MHZ.pdf | |
![]() | HD-4702/883 | HD-4702/883 ORIGINAL SMD or Through Hole | HD-4702/883.pdf | |
![]() | TNR9C331K | TNR9C331K NIPPON SMD | TNR9C331K.pdf | |
![]() | SGB3045CT | SGB3045CT ORIGINAL SMD or Through Hole | SGB3045CT.pdf | |
![]() | LSM140JTR-13 | LSM140JTR-13 Microsemi SMC DO-214AB | LSM140JTR-13.pdf | |
![]() | K6F1016U4C-EF70000 | K6F1016U4C-EF70000 SAMSUNG BGA48 | K6F1016U4C-EF70000.pdf | |
![]() | AC30-R18K-RC | AC30-R18K-RC ALLIED NA | AC30-R18K-RC.pdf | |
![]() | MIC2526-BN | MIC2526-BN MIC DIP | MIC2526-BN.pdf |