IXYS IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1
제조업체 부품 번호
IXT-1-1N100S1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
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내부 부품 번호EIS-IXT-1-1N100S1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 94
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대-
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC
공급 장치 패키지8-SOIC
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IXT-1-1N100S1
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