창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXKT70N60C5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 30 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXKT70N60C5 | |
관련 링크 | IXKT70, IXKT70N60C5 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | HMC754S8GE | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 1GHz 8-SOIC | HMC754S8GE.pdf | |
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![]() | 103M/2KV | 103M/2KV ELPLDA DIP-2 | 103M/2KV.pdf | |
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![]() | TDS05150K | TDS05150K OTH SMD or Through Hole | TDS05150K.pdf | |
![]() | SAA7112A | SAA7112A ORIGINAL SMD or Through Hole | SAA7112A.pdf | |
![]() | PFD114A | PFD114A NEC DIP | PFD114A.pdf | |
![]() | LM6402G-2103 | LM6402G-2103 NS DIP42 | LM6402G-2103.pdf | |
![]() | M29W320ET90N6E | M29W320ET90N6E ST SMD or Through Hole | M29W320ET90N6E.pdf | |
![]() | 2SA1797A T100Q | 2SA1797A T100Q ROHM SOT89 | 2SA1797A T100Q.pdf |