창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXKR40N60C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXKR40N60C | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS247™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXKR40N60C | |
| 관련 링크 | IXKR40, IXKR40N60C 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | IXFH26N50Q(ROHS) | IXFH26N50Q(ROHS) IXYS TO-247 | IXFH26N50Q(ROHS).pdf | |
![]() | MB8115EC-G | MB8115EC-G FUJ CDIP | MB8115EC-G.pdf | |
![]() | 2SK284 | 2SK284 TOSHIBA SOT-343 | 2SK284.pdf | |
![]() | MPSA113L-AB3-R | MPSA113L-AB3-R UTC SOT-89 | MPSA113L-AB3-R.pdf | |
![]() | 36FLZ-RSM1-TB | 36FLZ-RSM1-TB JST SMD or Through Hole | 36FLZ-RSM1-TB.pdf | |
![]() | C0603ZRY5V9BB393 0603-393Z | C0603ZRY5V9BB393 0603-393Z YAGEO SMD or Through Hole | C0603ZRY5V9BB393 0603-393Z.pdf | |
![]() | JQX-68F-012-1ZS(551) | JQX-68F-012-1ZS(551) ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-68F-012-1ZS(551).pdf | |
![]() | FDB6012P | FDB6012P FAIRCHILD TO263 | FDB6012P.pdf | |
![]() | D85C220-80 EP220DC-10A | D85C220-80 EP220DC-10A INTEL CWDIP20 | D85C220-80 EP220DC-10A.pdf | |
![]() | LQG21N1R8K10T1 | LQG21N1R8K10T1 MURATA SMD or Through Hole | LQG21N1R8K10T1.pdf | |
![]() | D2061. | D2061. ROHM TO-220F | D2061..pdf | |
![]() | CAT93C46RVP2I-GT3 | CAT93C46RVP2I-GT3 ON TDFN-8 | CAT93C46RVP2I-GT3.pdf |