창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXKP13N60C5M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXKP13N60C5M | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220ABFP | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXKP13N60C5M | |
관련 링크 | IXKP13N, IXKP13N60C5M 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | KS5A1000V | KS5A1000V CHINA SMD or Through Hole | KS5A1000V.pdf | |
![]() | 699-2 | 699-2 Hirose SOD323 | 699-2.pdf | |
![]() | HCP2-S-12V | HCP2-S-12V HKE DIP | HCP2-S-12V.pdf | |
![]() | SCO-020 20.540000M | SCO-020 20.540000M SUNNY SMD or Through Hole | SCO-020 20.540000M.pdf | |
![]() | 215LT3UA31 RAGE LT PRO AGP | 215LT3UA31 RAGE LT PRO AGP ATI BGA | 215LT3UA31 RAGE LT PRO AGP.pdf | |
![]() | BAV70W.135 | BAV70W.135 NXP SMD or Through Hole | BAV70W.135.pdf | |
![]() | TIB2S105BCN | TIB2S105BCN TI DIP | TIB2S105BCN.pdf | |
![]() | 137E4680 | 137E4680 FUJIXEROX QFP | 137E4680.pdf | |
![]() | D17133CS520 | D17133CS520 NEC DIP | D17133CS520.pdf | |
![]() | NRWP221M25V8X11.5F | NRWP221M25V8X11.5F NIC DIP | NRWP221M25V8X11.5F.pdf | |
![]() | MIC5326-2.8YMT | MIC5326-2.8YMT Micrel MLF | MIC5326-2.8YMT.pdf |