창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXGQ85N33PCD1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXGQ85N33PCD1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | Polar™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 330V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 85A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 스위칭 에너지 | - | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 80nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | - | |
| 테스트 조건 | - | |
| 역회복 시간(trr) | 250ns | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXGQ85N33PCD1 | |
| 관련 링크 | IXGQ85N, IXGQ85N33PCD1 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E3X7R1H474M080AB | 0.47µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X7R1H474M080AB.pdf | |
![]() | MLP1608VR47DT0S1 | 470nH Shielded Multilayer Inductor 800mA 286 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLP1608VR47DT0S1.pdf | |
| THS50100RJ | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 50W | THS50100RJ.pdf | ||
![]() | AT0805BRD072K55L | RES SMD 2.55K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD072K55L.pdf | |
![]() | 2924A-3203R(32P0.5) | 2924A-3203R(32P0.5) ORIGINAL PCS | 2924A-3203R(32P0.5).pdf | |
![]() | TLE2071AMJG | TLE2071AMJG TI DIP | TLE2071AMJG.pdf | |
![]() | NV220D14 | NV220D14 ORIGINAL DIP | NV220D14.pdf | |
![]() | QS6612 | QS6612 QUALITY QFP | QS6612.pdf | |
![]() | SA636DK01,112 | SA636DK01,112 NXP SMD or Through Hole | SA636DK01,112.pdf | |
![]() | D10XB60H25 | D10XB60H25 PHILIPS DIP | D10XB60H25.pdf | |
![]() | K5N5629ABA-AD11 | K5N5629ABA-AD11 SAMSUNG BGA | K5N5629ABA-AD11.pdf |