창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXGN82N120B3H1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXGN82N120B3H1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GenX3™ | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | PT | |
| 구성 | 단일 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 145A | |
| 전력 - 최대 | 595W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 7.9nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 없음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXGN82N120B3H1 | |
| 관련 링크 | IXGN82N1, IXGN82N120B3H1 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CDBB2100-G | DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA | CDBB2100-G.pdf | |
![]() | AD7501J#PBF | AD7501J#PBF AD DIP16 | AD7501J#PBF.pdf | |
![]() | LM10BJ8 | LM10BJ8 LT CDIP8 | LM10BJ8.pdf | |
![]() | SNJ27C256-20JM/5962-8606301 | SNJ27C256-20JM/5962-8606301 TI DIP | SNJ27C256-20JM/5962-8606301.pdf | |
![]() | 2SK2527 | 2SK2527 ORIGINAL TO220 | 2SK2527.pdf | |
![]() | 39532265 | 39532265 MOLEX SMD or Through Hole | 39532265.pdf | |
![]() | 10723408 | 10723408 WCT SMD or Through Hole | 10723408.pdf | |
![]() | POL-15073R | POL-15073R PMI SMD or Through Hole | POL-15073R.pdf | |
![]() | MCP1804T-1802I/MT | MCP1804T-1802I/MT MICROCHIP SOT-89-5 | MCP1804T-1802I/MT.pdf | |
![]() | C1210C101J2GAC | C1210C101J2GAC KEMET SMD or Through Hole | C1210C101J2GAC.pdf | |
![]() | CR32-1003F-T | CR32-1003F-T KYOCERA SMD or Through Hole | CR32-1003F-T.pdf | |
![]() | ESMH351VSN471MA35T | ESMH351VSN471MA35T NIPPONCHEMI-COM DIP | ESMH351VSN471MA35T.pdf |