창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX80N50Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx80N50Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX80N50Q3 | |
| 관련 링크 | IXFX80, IXFX80N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 6-1393813-9 | RELAY GEN PURP | 6-1393813-9.pdf | |
![]() | TRS3801E18DCKR | TRS3801E18DCKR TEXAS SC70-5 | TRS3801E18DCKR.pdf | |
![]() | LM2678SX-5.0V | LM2678SX-5.0V NSC TO263 | LM2678SX-5.0V.pdf | |
![]() | MNR34J5AMJ510 | MNR34J5AMJ510 ROHM SMD or Through Hole | MNR34J5AMJ510.pdf | |
![]() | Z0853006VEG | Z0853006VEG ZILOG PLCC44 | Z0853006VEG.pdf | |
![]() | EPM7160STC100-7/10 | EPM7160STC100-7/10 ALTERA QFP | EPM7160STC100-7/10.pdf | |
![]() | 57-30360-TRW | 57-30360-TRW FCI SOT523 | 57-30360-TRW.pdf | |
![]() | MP6332 | MP6332 M-PULSE SMD or Through Hole | MP6332.pdf | |
![]() | TG0019-011 | TG0019-011 NOBLE SMD-5 | TG0019-011.pdf | |
![]() | GRM1881X1H391JZ01D | GRM1881X1H391JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM1881X1H391JZ01D.pdf | |
![]() | 6HIP-5162 | 6HIP-5162 N SIP10 | 6HIP-5162.pdf |