창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFX64N60Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx64N60Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9930pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFX64N60Q3 | |
관련 링크 | IXFX64, IXFX64N60Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 416F37435CDR | 37.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37435CDR.pdf | |
![]() | 402F5001XIJT | 50MHz ±10ppm 수정 9pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F5001XIJT.pdf | |
![]() | SIT9002AI-48N25DD | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA | SIT9002AI-48N25DD.pdf | |
![]() | BA7795 | BA7795 BA SOP24 | BA7795.pdf | |
![]() | 2SB849A | 2SB849A ISC TO-3PFa | 2SB849A.pdf | |
![]() | P0603E56R6BB | P0603E56R6BB vishaycom/docs//pnspdf 25PPM | P0603E56R6BB.pdf | |
![]() | MCGPR16V227M6.3X11 | MCGPR16V227M6.3X11 multicomp DIP | MCGPR16V227M6.3X11.pdf | |
![]() | NTE3096 | NTE3096 NET QQ- | NTE3096.pdf | |
![]() | MLR10005 | MLR10005 CPCLARE SMD or Through Hole | MLR10005.pdf | |
![]() | C0805C102J5GAC | C0805C102J5GAC KEMET SMD | C0805C102J5GAC.pdf | |
![]() | K9F5616UIA-PIB5 | K9F5616UIA-PIB5 SAMSUNG TSOP48 | K9F5616UIA-PIB5.pdf | |
![]() | FDC37C669FR-TQFP | FDC37C669FR-TQFP SMSC TQFP1414-100 | FDC37C669FR-TQFP.pdf |