창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX64N60Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx64N60Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX64N60Q3 | |
| 관련 링크 | IXFX64, IXFX64N60Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602ACE1-XXE | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602ACE1-XXE.pdf | |
![]() | H480R6BYA | RES 80.6 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H480R6BYA.pdf | |
![]() | IRG4BC30CD | IRG4BC30CD IR TO-220 | IRG4BC30CD.pdf | |
![]() | CV 1 300 K 10 R H=20 | CV 1 300 K 10 R H=20 ORIGINAL SMD or Through Hole | CV 1 300 K 10 R H=20.pdf | |
![]() | 13.5MHZ | 13.5MHZ RIVER SMD or Through Hole | 13.5MHZ.pdf | |
![]() | ST7LCR1DIE6/OON | ST7LCR1DIE6/OON ST DIE | ST7LCR1DIE6/OON.pdf | |
![]() | 150Kohm F (154) | 150Kohm F (154) INFNEON SMD or Through Hole | 150Kohm F (154).pdf | |
![]() | RAD9W-K | RAD9W-K ORIGINAL SMD or Through Hole | RAD9W-K.pdf | |
![]() | S5277B-TPA2 | S5277B-TPA2 TOSHIBA SMD or Through Hole | S5277B-TPA2.pdf | |
![]() | SFE10.7MS3-E | SFE10.7MS3-E TDK SMD-DIP | SFE10.7MS3-E.pdf | |
![]() | TLC393IDRG4 | TLC393IDRG4 TI SOIC-8 | TLC393IDRG4.pdf | |
![]() | ECJ2FB1E224M | ECJ2FB1E224M PANASONI SMD or Through Hole | ECJ2FB1E224M.pdf |