창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX64N60Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx64N60Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX64N60Q3 | |
| 관련 링크 | IXFX64, IXFX64N60Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CBR06C100FAGAC | 10pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C100FAGAC.pdf | |
![]() | MKP385311040JBM2B0 | 0.011µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385311040JBM2B0.pdf | |
![]() | ZVN3320FTA | MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 | ZVN3320FTA.pdf | |
![]() | AO4498E | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC | AO4498E.pdf | |
![]() | 1509060000 | 1509060000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1509060000.pdf | |
![]() | CMTDDF50H603G | CMTDDF50H603G ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | CMTDDF50H603G.pdf | |
![]() | GL1MR13 | GL1MR13 DIOTEC Call | GL1MR13.pdf | |
![]() | BA157GP/DO-41 | BA157GP/DO-41 GI DO-204AL | BA157GP/DO-41.pdf | |
![]() | LFECP33E-4FN672C | LFECP33E-4FN672C Lattice fpBGA-256 | LFECP33E-4FN672C.pdf | |
![]() | HB28F400BX | HB28F400BX MAXIM PLCC | HB28F400BX.pdf | |
![]() | 16CE1500BS | 16CE1500BS SANYO SMD | 16CE1500BS.pdf |