창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX60N55Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)60N55Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX60N55Q2 | |
| 관련 링크 | IXFX60, IXFX60N55Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 335MPW160K | 3.3µF Film Capacitor 90V 160V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.630" Dia x 1.339" L (16.00mm x 34.00mm) | 335MPW160K.pdf | |
![]() | 416F37022ATT | 37MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37022ATT.pdf | |
![]() | CRGH2512F3K65 | RES SMD 3.65K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F3K65.pdf | |
![]() | MRS25000C4532FRP00 | RES 45.3K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C4532FRP00.pdf | |
![]() | AT24C16NSI27 | AT24C16NSI27 ATMEL SOP8 | AT24C16NSI27.pdf | |
![]() | 231219512704VI | 231219512704VI BC Rohs274F | 231219512704VI.pdf | |
![]() | 74HC237D653 | 74HC237D653 NXP SMD DIP | 74HC237D653.pdf | |
![]() | MAX706TCPA | MAX706TCPA MAXIM DIP8 | MAX706TCPA.pdf | |
![]() | LRF2512-01-R010J | LRF2512-01-R010J IRC SMD or Through Hole | LRF2512-01-R010J.pdf | |
![]() | MM5842N | MM5842N ORIGINAL SMD or Through Hole | MM5842N.pdf | |
![]() | TCSB1C106MAAR | TCSB1C106MAAR SAMSUNG smd | TCSB1C106MAAR.pdf | |
![]() | X25650S8I-2.5T3 | X25650S8I-2.5T3 XICOR SOP8 | X25650S8I-2.5T3.pdf |