창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX420N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)420N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™ HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 420A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.6m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 670nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 47000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1670W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX420N10T | |
| 관련 링크 | IXFX42, IXFX420N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1001DI5-008.1920 | 8.192MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001DI5-008.1920.pdf | |
![]() | CDBER00340 | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0503 | CDBER00340.pdf | |
![]() | AA2010FK-07160RL | RES SMD 160 OHM 1% 3/4W 2010 | AA2010FK-07160RL.pdf | |
![]() | EL-19-237-R6GHBHC-A01-2T | EL-19-237-R6GHBHC-A01-2T Everlight 1.6x1.6x0.35mm | EL-19-237-R6GHBHC-A01-2T.pdf | |
![]() | SABR3000A33AE | SABR3000A33AE INFINEON SMD or Through Hole | SABR3000A33AE.pdf | |
![]() | 2989M2.5 | 2989M2.5 NS SOP8 | 2989M2.5.pdf | |
![]() | RSHL-Q-048 | RSHL-Q-048 SHINMEI DIP-SOP | RSHL-Q-048.pdf | |
![]() | TDA4421 | TDA4421 TFK DIP-18 | TDA4421.pdf | |
![]() | CT1206 | CT1206 EPCOS SMD | CT1206.pdf | |
![]() | EKZE630ESS181MJ20S | EKZE630ESS181MJ20S NIPPON DIP | EKZE630ESS181MJ20S.pdf | |
![]() | MQ2100-NBE TR | MQ2100-NBE TR NVIDIA SMD or Through Hole | MQ2100-NBE TR.pdf | |
![]() | FMG1G200US60H | FMG1G200US60H FSC SMD or Through Hole | FMG1G200US60H.pdf |