창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX34N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)34N80 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 560W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX34N80 | |
| 관련 링크 | IXFX3, IXFX34N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | PMR209MC6100M022R30 | RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 22 Ohms, C = 0.1µF Radial | PMR209MC6100M022R30.pdf | |
![]() | RLF7030T-2R2M5R4 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 12 mOhm Max Nonstandard | RLF7030T-2R2M5R4.pdf | |
![]() | Y1745230R000T0L | RES SMD 230OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1745230R000T0L.pdf | |
![]() | LP3200-18B5F | LP3200-18B5F POWER SOT23-5 | LP3200-18B5F.pdf | |
![]() | * | * OEM SMD or Through Hole | ||
![]() | P6BUI-050909ZLF | P6BUI-050909ZLF PEAK DIP8 | P6BUI-050909ZLF.pdf | |
![]() | BUTD | BUTD PHILIPS SMD or Through Hole | BUTD.pdf | |
![]() | SPC5534MZQ80 | SPC5534MZQ80 FREESCALE BGA324 | SPC5534MZQ80.pdf | |
![]() | HCC4011 | HCC4011 PHI DIP | HCC4011.pdf | |
![]() | LT1291CN8 | LT1291CN8 LT DIP-8 | LT1291CN8.pdf | |
![]() | DAC088S085CIMT/NOPB | DAC088S085CIMT/NOPB NSC SMD or Through Hole | DAC088S085CIMT/NOPB.pdf |