창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFX32N100Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx32N100Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 320m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9940pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFX32N100Q3 | |
관련 링크 | IXFX32N, IXFX32N100Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 12102C123KAT2A | 0.012µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12102C123KAT2A.pdf | |
![]() | MP4-1E-1O-1Y-1Y-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1E-1O-1Y-1Y-00.pdf | |
![]() | LQH32MN390J23L | 39µH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 3.9 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32MN390J23L.pdf | |
![]() | CRCW12067R68FNEA | RES SMD 7.68 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12067R68FNEA.pdf | |
![]() | GT-64120A-3 | GT-64120A-3 GALILEO BGA-388D | GT-64120A-3.pdf | |
![]() | sm07b-srss-ps-tb | sm07b-srss-ps-tb jst SMD or Through Hole | sm07b-srss-ps-tb.pdf | |
![]() | 38286 | 38286 ORIGINAL SMD or Through Hole | 38286.pdf | |
![]() | A3977 | A3977 ORIGINAL PLCC | A3977.pdf | |
![]() | EDZGHTE615.6B | EDZGHTE615.6B ROHM SMD or Through Hole | EDZGHTE615.6B.pdf | |
![]() | ML62253MRG | ML62253MRG Mdc SOT-23 | ML62253MRG.pdf | |
![]() | FDD15-12D3 | FDD15-12D3 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDD15-12D3.pdf | |
![]() | PIC16C57-XT/P128 | PIC16C57-XT/P128 MICROCHIP DIP | PIC16C57-XT/P128.pdf |