창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFX30N100Q2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,X)30N100Q2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 186nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 735W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFX30N100Q2 | |
관련 링크 | IXFX30N, IXFX30N100Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D821GLXAT | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821GLXAT.pdf | |
![]() | PA4307.562NLT | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 4A 85 mOhm Max Nonstandard | PA4307.562NLT.pdf | |
![]() | 1AB14870ABAA(MTC-20455TB-I | 1AB14870ABAA(MTC-20455TB-I ALCATEL BGA | 1AB14870ABAA(MTC-20455TB-I.pdf | |
![]() | SM6T36A/CA | SM6T36A/CA STMicroectronics SMBDO-214AA | SM6T36A/CA.pdf | |
![]() | FLK022XP | FLK022XP fujistu SMD or Through Hole | FLK022XP.pdf | |
![]() | XRJG-01S-4-D22-01 | XRJG-01S-4-D22-01 XmultipleTechnolo SMD or Through Hole | XRJG-01S-4-D22-01.pdf | |
![]() | PMF4118VSF | PMF4118VSF Ericsson SMD or Through Hole | PMF4118VSF.pdf | |
![]() | EPM7032LLC44-7 | EPM7032LLC44-7 altera PLCC | EPM7032LLC44-7.pdf | |
![]() | ROP1011141/2R1 | ROP1011141/2R1 ERICSSON BGA | ROP1011141/2R1.pdf | |
![]() | J789 | J789 HP DIP8 | J789.pdf | |
![]() | SC16C850V | SC16C850V NXP SMD or Through Hole | SC16C850V.pdf | |
![]() | 2ED020I12-FA | 2ED020I12-FA INFINEON SSOP32 | 2ED020I12-FA.pdf |