창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX26N60Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)26N60Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX26N60Q | |
| 관련 링크 | IXFX26, IXFX26N60Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | CMPSH-3S TR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23 | CMPSH-3S TR.pdf | |
|  | HM66-708R7LFTR13 | 8.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 34 mOhm Max Nonstandard | HM66-708R7LFTR13.pdf | |
|  | CRCW02011K50FNED | RES SMD 1.5K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02011K50FNED.pdf | |
|  | DD1R030HA1R1500 | DD1R030HA1R1500 jae 30PINIO | DD1R030HA1R1500.pdf | |
|  | V58C2256164SAT7 | V58C2256164SAT7 MOS TSOP | V58C2256164SAT7.pdf | |
|  | 1159ad/08-0087-02 | 1159ad/08-0087-02 ORIGINAL tqfp | 1159ad/08-0087-02.pdf | |
|  | TS3232EIDB | TS3232EIDB TI- TI | TS3232EIDB.pdf | |
|  | BTA26-600A | BTA26-600A ST TO-3P | BTA26-600A.pdf | |
|  | DG509ACWE+ | DG509ACWE+ MAXIM SOIC16 | DG509ACWE+.pdf | |
|  | ADM3232E | ADM3232E AD SSOP | ADM3232E.pdf | |
|  | U30D30D | U30D30D MOSPEC TO-3P | U30D30D.pdf |