창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX170N20T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)170N20T | |
| 주요제품 | GigaMOS™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 265nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX170N20T | |
| 관련 링크 | IXFX17, IXFX170N20T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C0G1E110J | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1E110J.pdf | |
![]() | HK1608R39J-T | 390nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 2.3 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | HK1608R39J-T.pdf | |
![]() | H17444 | H17444 N/A TO-223 | H17444.pdf | |
![]() | GP1S33J0000F | GP1S33J0000F SHARP SOP | GP1S33J0000F.pdf | |
![]() | MN101D10GJK | MN101D10GJK PANASONI QFP | MN101D10GJK.pdf | |
![]() | T327- | T327- ERICSSON SOP | T327-.pdf | |
![]() | SKN71/02UNF | SKN71/02UNF Semikron module | SKN71/02UNF.pdf | |
![]() | TLK2701IRCPR | TLK2701IRCPR ORIGINAL SMD or Through Hole | TLK2701IRCPR.pdf | |
![]() | LTE-3376(850nm)200MW | LTE-3376(850nm)200MW LITEON SMD or Through Hole | LTE-3376(850nm)200MW.pdf | |
![]() | MAX544ACSA | MAX544ACSA MAXIM SOP-8 | MAX544ACSA.pdf | |
![]() | TPS2310I | TPS2310I TI TSOP20 | TPS2310I.pdf | |
![]() | 57C291B-35D | 57C291B-35D WSI CDIP24 | 57C291B-35D.pdf |