창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX160N30T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)160N30T | |
| 주요제품 | GigaMOS™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 335nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX160N30T | |
| 관련 링크 | IXFX16, IXFX160N30T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | TRJD686K020RRJ | 68µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 490 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TRJD686K020RRJ.pdf | |
![]() | 0326008.MXP | FUSE CERAMIC 8A 250VAC 3AB 3AG | 0326008.MXP.pdf | |
![]() | GSAP 12-R | FUSE CERAMIC 12A 125VAC 3AB 3AG | GSAP 12-R.pdf | |
![]() | ATT-290M-01-HEX-02 | RF Attenuator 1dB ±0.3dB 0Hz ~ 18GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-290M-01-HEX-02.pdf | |
![]() | AR3580 | AR3580 FAIRCHILD DIP | AR3580.pdf | |
![]() | UA78M05HM | UA78M05HM FAIRCHILD CAN | UA78M05HM.pdf | |
![]() | 0805CD080JTT-A | 0805CD080JTT-A PULSE SMD or Through Hole | 0805CD080JTT-A.pdf | |
![]() | HI1018MD | HI1018MD HAIER QFP176 | HI1018MD.pdf | |
![]() | R5F2121AJFP#U0 | R5F2121AJFP#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F2121AJFP#U0.pdf | |
![]() | MCR25ZJHJ910 | MCR25ZJHJ910 ROHM 1210 | MCR25ZJHJ910.pdf |