창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFX15N100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,T,X)1(4,5)N100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 220nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 360W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFX15N100 | |
관련 링크 | IXFX15, IXFX15N100 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | NZX8V2C,133 | DIODE ZENER 8.2V 500MW ALF2 | NZX8V2C,133.pdf | |
![]() | MMSZ5256CT1G | DIODE ZENER 30V 500MW SOD123 | MMSZ5256CT1G.pdf | |
![]() | HSC30022KJ | RES CHAS MNT 22K OHM 5% 300W | HSC30022KJ.pdf | |
![]() | 06032U2R2BATN | 06032U2R2BATN AVX SMD or Through Hole | 06032U2R2BATN.pdf | |
![]() | XL6004E1 | XL6004E1 ORIGINAL SMD or Through Hole | XL6004E1.pdf | |
![]() | SM81C256K16J-35 | SM81C256K16J-35 SILIM SMD or Through Hole | SM81C256K16J-35.pdf | |
![]() | LM34919TLX/NOPB | LM34919TLX/NOPB NSC n a | LM34919TLX/NOPB.pdf | |
![]() | WR12X2003FTL | WR12X2003FTL WALSIN SMD or Through Hole | WR12X2003FTL.pdf | |
![]() | N730NDS | N730NDS NO SMD | N730NDS.pdf | |
![]() | PLF1M-M0 | PLF1M-M0 PANDUIT/WSI SMD or Through Hole | PLF1M-M0.pdf | |
![]() | SFDG55LH001 | SFDG55LH001 SAMSUNG 4KR | SFDG55LH001.pdf |