창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFX140N25T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)140N25T | |
| 주요제품 | GigaMOS™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS247™-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFX140N25T | |
| 관련 링크 | IXFX14, IXFX140N25T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 08055C123KAT2A | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C123KAT2A.pdf | |
![]() | VJ0805D911JXXAT | 910pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D911JXXAT.pdf | |
![]() | RT0603CRC071K43L | RES SMD 1.43K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC071K43L.pdf | |
![]() | PE2010JKM070R015L | RES SMD 0.015 OHM 5% 1/2W 2010 | PE2010JKM070R015L.pdf | |
![]() | Y11215K60000B0R | RES SMD 5.6KOHM 0.1% 1/4W J LEAD | Y11215K60000B0R.pdf | |
![]() | YC122-FR-071KL | RES ARRAY 2 RES 1K OHM 0404 | YC122-FR-071KL.pdf | |
![]() | QG82P15GM | QG82P15GM INTEL BGA | QG82P15GM.pdf | |
![]() | STB9NB601 | STB9NB601 sgs SMD or Through Hole | STB9NB601.pdf | |
![]() | 2SB1218A BQ1 | 2SB1218A BQ1 TASUND SOT-323 | 2SB1218A BQ1.pdf | |
![]() | SMZ3.3 | SMZ3.3 MICROSEMI SOT23 | SMZ3.3.pdf | |
![]() | TC58V128AFTI | TC58V128AFTI TOSHIBA TSOP | TC58V128AFTI.pdf | |
![]() | RC2010FK076R19 | RC2010FK076R19 YAGEOPHYCOMP SMD or Through Hole | RC2010FK076R19.pdf |