창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFV20N80P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,T,V)20N80P(S) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4685pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3, 짧은 탭 | |
공급 장치 패키지 | PLUS220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFV20N80P | |
관련 링크 | IXFV20, IXFV20N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | MJE371G | TRANS PNP 40V 4A TO225AA | MJE371G.pdf | |
![]() | RT0805CRE0714RL | RES SMD 14 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0714RL.pdf | |
![]() | RMCP2010FT174K | RES SMD 174K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT174K.pdf | |
![]() | D28F256-25OPI | D28F256-25OPI INTEI DIP | D28F256-25OPI.pdf | |
![]() | AT-260TR-500 | AT-260TR-500 N/A SSOP | AT-260TR-500.pdf | |
![]() | UPG2315T5T-E2 | UPG2315T5T-E2 NEC QFN | UPG2315T5T-E2.pdf | |
![]() | EBMS060303A | EBMS060303A ORIGINAL SMD or Through Hole | EBMS060303A.pdf | |
![]() | TSM1A202F3403R | TSM1A202F3403R ORIGINAL SMD or Through Hole | TSM1A202F3403R.pdf | |
![]() | SUB85N03-04 | SUB85N03-04 VISHAY SOT-263 | SUB85N03-04.pdf | |
![]() | 2SC1755D | 2SC1755D SANYO TO-220 | 2SC1755D.pdf | |
![]() | SN75C3232EPWR | SN75C3232EPWR TI SMD or Through Hole | SN75C3232EPWR.pdf | |
![]() | DG442ETE+T | DG442ETE+T MAXIM QFN | DG442ETE+T.pdf |