창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT94N30T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx94N30T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 94A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 47A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT94N30T | |
| 관련 링크 | IXFT94, IXFT94N30T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | T15.1N800COC | T15.1N800COC AEG SMD or Through Hole | T15.1N800COC.pdf | |
![]() | IRG4PSH71UPBF | IRG4PSH71UPBF IR SUPER247 | IRG4PSH71UPBF.pdf | |
![]() | KDZ2.4E-RTK/P | KDZ2.4E-RTK/P KEC SMD or Through Hole | KDZ2.4E-RTK/P.pdf | |
![]() | 0434003.NR-3A | 0434003.NR-3A LITTELFUSE SMD or Through Hole | 0434003.NR-3A.pdf | |
![]() | TI-7210 | TI-7210 TOS SMD or Through Hole | TI-7210.pdf | |
![]() | SMCG58CHE3/9AT | SMCG58CHE3/9AT VISHAY SMCG | SMCG58CHE3/9AT.pdf | |
![]() | JH-10061-RGB1.5W | JH-10061-RGB1.5W JH SMD or Through Hole | JH-10061-RGB1.5W.pdf | |
![]() | F82C841-16A | F82C841-16A CHIPS QFP144 | F82C841-16A.pdf | |
![]() | RL-3264-6-R001-FN | RL-3264-6-R001-FN CYNTEC 2512 | RL-3264-6-R001-FN.pdf | |
![]() | PEH532JBD4680M2 | PEH532JBD4680M2 RIFA SMD or Through Hole | PEH532JBD4680M2.pdf | |
![]() | KMC3S050 | KMC3S050 thi SMD | KMC3S050.pdf | |
![]() | TC551001BFTI-85L | TC551001BFTI-85L TOSHIBA TSOP | TC551001BFTI-85L.pdf |