창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFT88N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(T,H,K)88N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 88A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 44A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-268 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFT88N30P | |
| 관련 링크 | IXFT88, IXFT88N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
| TE200B1R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 200W | TE200B1R0J.pdf | ||
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![]() | NANDA8R | NANDA8R ST SMD or Through Hole | NANDA8R.pdf | |
![]() | 54S161/BCBJC | 54S161/BCBJC TI DIP | 54S161/BCBJC.pdf | |
![]() | AD7592DI/LP | AD7592DI/LP AD SOP | AD7592DI/LP.pdf | |
![]() | 14-108398-01 | 14-108398-01 TI TQFP | 14-108398-01.pdf | |
![]() | SN74LV132APWR/LV132A | SN74LV132APWR/LV132A TI TSSOP-14 | SN74LV132APWR/LV132A.pdf | |
![]() | SPC5566MZP132R | SPC5566MZP132R Freescal BGA | SPC5566MZP132R.pdf | |
![]() | 25D781KJ | 25D781KJ RUILON DIP | 25D781KJ.pdf | |
![]() | BStC0140 | BStC0140 SIEMENS Module | BStC0140.pdf | |
![]() | LXT914QCC4 | LXT914QCC4 LEVELONE QFP | LXT914QCC4.pdf |